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HBDM60V600W-7中文资料

HBDM60V600W-7图片

HBDM60V600W-7外观图

  • 大小:195KB
  • 厂家:
  • 描述:TRANS NPN/PNP 65V/60V SOT363
  • 标准包装:3,000
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:晶体管(BJT) - 阵列
  • 系列:-
  • 晶体管类型:NPN,PNP
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大):500mA,600mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大):65V,60V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):400mV @ 10mA,100mA / 500mV @ 50mA,500mA
  • 电流 - 集电极截止(最大):100nA
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):100 @ 100mA,1V / 100 @ 150mA,10V
  • 功率 - 最大:200mW
  • 频率 - 转换:100MHz
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
  • 供应商设备封装:SOT-363
  • 包装:带卷 (TR)
  • 其它名称:HBDM60V600WDITR

HBDM60V600W-7供应商

更新时间:2023-01-12 03:26:19
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